【半导体培训资料】欧姆接触金半场效应晶体管MESFET.pptxVIP

第一章迄今大约有60种主要的器件以及100种与主要器件相关的变异器件。4种基本半导体器件结构。金属-半导体接触（1874）：整流接触，欧姆接触。金半场效应晶体管（MESFET）：整流接触，栅极；欧姆接触，漏极、源极。微波器件。p-n结：半导体器件的关键基础结构；p-n-p双极型晶体管（1947），p-n-p-n结构的可控硅器件。异质结（1957）：由两种不同材料的半导体组成；快速器件、光电器件的关键构成。金属-氧化物-半导体结构 （MOS，1960）：MOS结构，栅极；p-n结，漏极、源极。可制作MOSFET。1第二章立方晶系基本的晶体结构简单的立方晶格体心立方晶格面心立方晶格金刚石晶格结构（硅、锗）闪锌矿晶格结构（GaAs）密勒指数：界定一晶体中不同平面的方法。由下列步骤确定：找出平面在三坐标轴上的截距值r、s、t（以晶格常数为单位）；取这三个截距的倒数，并将其化简成最简单整数比， ；h、k、l为互质的整数，以（hkl）来表示单一平面的密勒指数。2能量/eV能量/eVpc0直接带隙半导体：间接带隙半导体：对Si、Ge而言，其动量-能量曲线中价带顶在p=0，导带最低处则在p=pC。因此，电子从价带顶转换到导带最低处时，不仅需要能量转换(≥Eg)，也需要动量转换(≥pC)。下图为砷化镓的动量-能量关系曲线，其价带顶与导带底发生在相同动量