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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-02 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

    方法和半导体器件包括具有一个或多个半导体器件的衬底。在一些实施例中，器件还包括设置在一个或多个半导体器件上方的第一钝化层。器件可以进一步包括形成在第一钝化层上方的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。此外，器件可以进一步包括设置在MIM电容器结构上方的第二钝化层。在各个实例中，应力减小部件嵌入在第二钝化层内。在一些实施例中，应力减小部件包括第一含氮层、设置在第一含氮层上方的含氧层和设置在含氧层上方的第二含氮层。本申请还涉及半导体器件及其形成方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112582398 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011053048.0 H01L 21/822 (2006.01) (22)申请日

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