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2023-06-02 发布于四川
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一种用于半导体量子计算的应变纯化硅衬底及其形成方法.pdf

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本发明公开了一种用于半导体量子计算的应变纯化硅衬底及其形成方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中外延纯化硅受衬底自然硅同位素成分的影响较大、纯化硅层电子迁移率较小的问题。应变纯化硅衬底包括自然硅衬底、绝缘层和应变纯化硅层，应变纯化硅层中引入张应力。形成方法为在基础衬底上外延形成多层硅锗缓冲层，多层硅锗缓冲层中的锗掺杂浓度逐渐增加，在硅锗缓冲层上形成应变纯化硅层，得到施主衬底；提供自然硅衬底；在施主衬底和/或自然硅衬底上形成绝缘层；将施主衬底与自然硅衬底键合，去除硅锗缓冲层和基础衬底，得到应

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112582256 A (43)申请公布日 2021.03.30 (21)申请号 202011321703.6 (22)申请日 2020.11.23 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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