对场效应管工作原理的理解.docxVIP

如何理解场效应管的原理，大多数书籍和文章都讲的晦涩难懂，给初学的人学习造成很大的难度，要深入学习就越感到困难，本人以自己的理解加以解释，希望对初学的人有帮助，即使认识可能不是很正确，但对学习肯定有很大的帮助。 场效应管的结构 场效应管是电压控制器件，功耗比较低。而三极管是电流控制器件，功耗比较高。但场效应管制作工艺比三极管复杂，不过可以做得很小，到纳米级大小。所以在大规模集成电路小信号处理方面得到广泛的应用。对大电流功率器件处理比较困难，不过目前已经有双场效应管结构增加电流负载能力，也有大功率场管出现，大有取代三极管的趋势。场效应管具有很多比三极管优越的性能。 结型场效应管的结构结型场效应管又叫 JFET，只有耗尽型。 这里以 N 沟道结型场效应管为例，说明结型场效应管的结构及基本工作原理。图为N 沟道结型场效应管的结构示意图。在一块N 型硅，材料(沟道)上引出两个电极，分别为源极(S)和漏极(D)。在它的两边各附一小片P 型材料并引出一个电极，称为栅极(G)。这样在沟道和栅极间便形成了两个PN 结。当栅极开路时，沟道相当于一个电阻，其阻值随型号而不同，一般为数百欧至数千欧。如果 在漏极及源极之间加上电压U ，就有电流流过，I 将随 U 的增大而增大。如果给管子加上负偏差 Ds D DS GSU 时，PN 结形成空间电荷区，其载流子很少，因而也叫耗尽区(如图 a 中阴影区所示)。