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2023-06-02 发布于四川
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半导体装置.pdf

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本文描述了一种功率半导体装置，该装置具有半导体衬底，半导体衬底包括有源区域和围绕有源区域的边缘终端区域、位于半导体衬底的边缘终端区域中的边缘终端结构、以及位于半导体衬底的边缘终端区域的上表面上的多个氧化物段，其中多个氧化物段在横向上相互间隔。功率半导体装置还包括电荷耗散层，其位于半导体衬底的边缘终端区域的上表面和多个氧化物段之上，从而使得电荷耗散层仅在多个界面区域与半导体衬底的上表面接触，其中，界面区域包括半导体衬底的在横向上位于相邻的氧化物段之间的区域。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116195067 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202180042314.6 (51)Int.Cl .