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本发明提供了一种硅麦克风及其加工方法。该硅麦克风包括形成有背腔的基底和振膜以及背板,背板上开设有通孔,振膜包括通过狭缝分隔开的振动部和固定部;该硅麦克风,在第一空间和/或第二空间设置有阻挡墙,第一空间是指振膜与基底之间间隔形成的第一振动空间内,位于狭缝和背腔之间的空间区域;第二空间是指振膜与背板之间间隔形成的第二振动空间内,位于狭缝和背板的最靠近狭缝的通孔之间的空间区域。本发明的硅麦克风,利用阻挡墙对由前腔通过狭缝进入后腔的气流产生阻尼作用,可以减少低频衰减,还可以避免振膜卡在背腔中或者贴在背板
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112584282 B
(45)授权公告日 2022.07.08
(21)申请号 202011380674.0 (51)Int.Cl.
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