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- 2023-06-02 发布于四川
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本发明公开了一种AlInGaAsP材料的半导体激光器结构，属于半导体光电子的技术领域，该结构包括：由下往上分别设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层，其中，在所述下波导层与有源层之间、有源层与上波导层之间分别嵌入有高折射率层，以达到有效提高大光腔波导结构的基模限制因子，同时增强波导对载流子的限制，降低器件的阈值电流，降低高阶模的模式增益，进而提高大光腔波导结构半导体激光器的基模输出功率，改善光束质量，为制备高性能的790nm高功率半导体激光器奠定基础的目的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112615258 B
(45)授权公告日 2022.03.15
(21)申请号 202011396116.3 (56)对比文件
(22)申请日 2020.12.03
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