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半导体刻蚀孔内膜层及三维存储器结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-02 发布于四川
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半导体刻蚀孔内膜层及三维存储器结构的制备方法.pdf

    本发明提供一种半导体刻蚀孔内膜层的制备方法及三维存储器结构的制备方法，刻蚀孔内膜层制备包括：提供具有刻蚀孔的半导体基底，在刻蚀孔中提供第一原料气形成初始材料膜层，通入第一吹扫气体进行第一吹扫；提供第二原料气，与初始材料膜层反应形成刻蚀孔填充膜层，通入第二吹扫气进行第二吹扫。本发明在孔内膜层制备的过程中引入吹扫气体吹扫的步骤，不仅可以基于第一原料气得到单原子层材料层，还可以在薄膜形成过程中将副产物通过简单的方式有效去除，工艺简单，利于提高器件性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112614855 A (43)申请公布日 2021.04.06 (21)申请号 202011419075.5 (22)申请日 2020.12.07 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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