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本发明涉及一种设有镂空部的压电能量采集器及其制备方法,方法包括:S1:获取硅基板,对该硅基板进行清洗以及干燥处理;S2:获取PZT压电层,分别在步骤S1获取的硅基板上侧和PZT压电层的下侧镀接金属层;S3:将硅基板和PZT压电层的金属层共晶键合;S4:对PZT压电层的上侧进行研磨减薄至预设的厚度范围;S5:在硅基板的下表面进行刻蚀得到凹槽;S6:采用KrF准分子激光器在凹槽区域进行镂空处理,形成镂空部,得到最终的压电能量采集器。与现有技术相比,本发明具有工艺步骤少、加工过程简单、固有频率低、功率
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112564546 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202011530916.X
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 上海应用技术大学
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