一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法.pdf

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本发明公开了一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法，包括：对LNOI材料进行表面清洁；制备高精度的电子束标记；涂覆电子束正胶ZEP520A，进行LNOI光栅图形以及电子束标记保护区域曝光；蒸发剥离Ni金属，作为光栅波导刻蚀掩膜；采用F基RIE干法刻蚀与NH4OH：H2O2：H2O的湿法处理，循环多次达到指定刻蚀深度；采用30％HNO3去除剩余的Ni掩膜；生长氧化硅上包层。本发明所述方法用于制备LNOI光栅，有效解决了铌酸锂刻蚀后生成物附着问题，提高了LNOI光栅的侧壁光滑度和垂直度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112596160 B (45)授权公告日 2022.07.05 (21)申请号 202011492990.7 (51)Int.Cl.