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本发明公开了一种离子激活的检测方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一导电类型的外延层，以制备形成待测晶片；将待测晶片划片分为第一晶片和第二晶片，其中，第一晶片包括第一衬底和第一外延层，第二晶片包括第二衬底和第二外延层；将第一外延层减薄至预设第一厚度，将第二外延层减薄至预设第二厚度；在第一外延层之上光刻图形化并显露出第一外延层的部分上表面；在第一外延层显露出的上表面和第二外延层的上表面同时注入离子；将第一晶片和第二晶片依次进行一次加热处理及二次加热处理；采用霍尔测试方法检测第二晶片内载流子的导电类型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112582293 B
(45)授权公告日 2021.08.13
(21)申请号 202011448252.2 (56)对比文件
(22)申请日 2020.12.09
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