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本发明涉及一种具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法，其利用低能等离子氧预洗芯片表面，产生牺牲氧化物，再用RCA工艺清洗碳化硅外延片表面，以改善芯片的研磨残余的缺陷。然后，以干式热氧化生长一层二氧化硅薄膜，改善碳空位缺陷；进一步把碳化硅外延片放置在一300℃的热盘上，在氧气下溅射Al原子，接着在氧气中静置3~5分钟；重复溅射、静置步骤至所需Al2O3绝缘层厚度，最后沉积一金属合金电极层即可。采用本发明的制备方法除了能改善碳化硅氧化物半导体性能外，其上的复合氧化层可以在同一个设备上完成，减
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112599408 A
(43)申请公布日 2021.04.02
(21)申请号 202011508997.3
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 璨隆科技发展有限公司
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