半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：第一芯片，形成有包括至少一个阵列区块的存储阵列，所述阵列区块包括多条沿第一横向延伸的字线与多条沿第二横向延伸的位线；以及，第二芯片，叠置在所述第一芯片上并与其构成电路连接，且形成有用以通过所述电路连接而控制所述阵列区块的局部字线译码器区块与局部位线译码器区块；其中，所述局部字线译码器区块与所述局部位线译码器区块二者至少其中之一配置于所述第二芯片中的所述阵列区块的俯视投影区域内。如此，可以使第一与第二芯片的俯视投影面积相等，缩小平面面积，并可以

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112599528 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202011474913.9 H01L 27/11519 (2017.01)