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本发明公开了一种开关速度可调的绝缘栅双极晶体管(IGBT)与超结金属‑氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)组合器件，具体公开了一种器件包括一个绝缘栅双极晶体管；以及一个超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管，其中绝缘栅双极晶体管和超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管是结构耦合的，并且其中配置超级结金属‑氧化物半导体场效应晶体管从“断开”状态切换到“接通”状态以及从“接通”状态切换到“断开”状态。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582394 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202010990292.3 H01L 29/78 (2006.01)
(22)申请日 2
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