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一种氮化镓半导体器件.pdfVIP

一种氮化镓半导体器件.pdf

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    本发明公开了一种氮化镓半导体器件，具体涉及半导体技术领域，包括器件主体，所述器件主体的内壁上设置有防水结构，所述器件主体内部的四周设置有加强结构，所述器件主体内部的一端固定连接有电路板，所述器件主体的顶端固定连接有四组连接块，所述器件主体内部的底端固定连接有放置座。本发明通过设置有内层体、加强板、中层体和连接座，使用时，器件主体的内部设置有中层体和内层体，中层体和内层体形成双层的结构，增加了器件主体的结构强度，并且在中层体和内层体之间通过连接座横向设置有加强板，加强了结构的强度，加强板和连接座连

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112584607 B (45)授权公告日 2022.02.25 (21)申请号 202011419622.X (51)Int.Cl.

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