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MOSIC包括相邻的晶体管逻辑的第一集合和晶体管逻辑的第二集合，每一者包括在第一方向上以相同的栅极间距延伸的共线栅极互连。晶体管逻辑的第一集合具有第一单元高度h1和在第二方向上单向延伸的第一数目的Mx层轨道，该第二方向与第一方向正交。晶体管逻辑的第二集合具有第二单元高度h2和在第二方向上单向延伸的第二数目的Mx层轨道，其中h2h1，并且第二数目的Mx层轨道大于第一数目的Mx层轨道。以下中的至少一者：高度比率hR＝h2/h1为非整数值，或者晶体管逻辑的第一集合的子集和晶体管逻辑的第二集合的子集
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116194924 A
(43)申请公布日 2023.05.30
(21)申请号 202180063898.5 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所
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