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- 2023-06-02 发布于四川
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在一些实施例中，提供了图像传感器。图像传感器包括设置在半导体衬底的前侧表面内的第一光检测器。沟槽隔离结构设置在半导体衬底的背侧表面上方。沟槽隔离结构包括缓冲层和介电衬垫。缓冲层覆盖半导体衬底的背侧表面并且填充向下延伸至半导体衬底的背侧表面中的沟槽。介电衬垫设置在缓冲层和半导体衬底之间。复合栅格结构具有分别在沟槽上方对准的复合栅格段。缓冲层将介电衬垫与复合栅格结构分隔开。遮光结构设置在缓冲层内并且位于第一光检测器正上方。本申请的实施例还涉及用于形成图像传感器的方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112582437 A
(43)申请公布日 2021.03.30
(21)申请号 202011052866.9
(22)申请日 2020.09.29
(30)优先权数据
62/908,16
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