半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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本文公开了一种半导体结构的形成方法，包括于磁性穿隧接面(magnetictunneljunction,MTJ)层上方形成第一顶电极(topelectrode,TE)层，并对第一TE层进行平滑处理。平滑处理是于形成第一TE层之后原位进行。平滑处理从第一TE层移除尖峰点缺陷。可于第一TE层上方形成多个额外的TE层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112599662 A (43)申请公布日 2021.04.02 (21)申请号 202011060326.5 (22)申请日 2020.09.30 (30)优先权数据