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PAGE PAGE 3 三、选择题：（每小题 2 分，共 20 分） 1、单极型半导体器件是（ C ）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（ C ）。A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN 型三极管上各电极对地电位分别为V ＝2.1V，V ＝2.8V，V ＝4.4V，说明此三极管处在（ A ）。 E B C A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。 A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I ； B、集—射极间反向击穿电压U ；