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- 2023-06-02 发布于四川
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本发明涉及一种提升质子加速器中子源产额的方法，包括如下步骤：构建双层靶室，包括氚气体靶室、氦气体靶室，氦气体靶室内固定安装锂靶；向氚气体靶室中充入氚气至达到设定的氚气体靶室压力；向氦气体靶室中充入氦气至达到设定的氦气体靶室压力；将质子经质子入射主管道入射到所述双层靶室中。本发明提供的方法可将加速器中子源所获得的1MeV以下中子产额比传统方法提升95％以上，能够有效利用束流时间、提升中子通量、减少环境本底的占比、提升实验效果。本发明提供的方法可消除能量在1MeV以上的中子的干扰，对于核物理实验测量
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115802578 A
(43)申请公布日 2023.03.14
(21)申请号 202211340548.1
(22)申请日 2022.10.28
(71)申请人 中国原子能科学研究院
地址 102
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