一种多晶硅耗尽效应的改善方法.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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一种多晶硅耗尽效应的改善方法.pdf

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本申请公开了一种多晶硅耗尽效应的改善方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：源漏极离子注入之后形成源区和漏区，注入离子为Boron，且注入剂量为3.7‑4.5E15；在源区的第二侧墙处进行湿法刻蚀，形成金属硅化物阻挡层；对多晶硅采用尖峰退火工艺进行退火处理；本发明通过增加PPlus源漏极离子注入的剂量，改善硼在多晶硅中的分布，抑制了多晶硅耗尽效应，使得多晶硅厚度对PMOS阈值电压的影响降低，PMOS稳定性得到改善。PPlus剂量增加导致的PMOS器件漂移可以通过NW及Halo调回至器件的理想

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116190233 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202211097100.1 (22)申请日 2022.09.08 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址