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本申请涉及一种纳米柱阵列的探测器及制备方法，该探测器包括衬底、生长于所述衬底上的半导体纳米柱，以及分布于所述半导体纳米柱表面上的等离子激元纳米颗粒，所有的所述半导体纳米柱构成纳米柱阵列。本申请是利用VLS生长机制，在衬底上直接生长出构成纳米柱阵列的半导体纳米柱，无需刻蚀块体化合物半导体从而提高了半导体与衬底的兼容性。同时，本申请在半导体纳米柱上布置等离子激元纳米颗粒，利用等离子激元纳米颗粒的等离子激元效应，以增强光的吸收，进而提升探测器的响应度、速度、探测率等性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116190469 A
(43)申请公布日 2023.05.30
(21)申请号 202211098129.1
(22)申请日 2022.09.08
(71)申请人 武汉邮电科学研究院有限公司
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