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一种功率半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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一种功率半导体器件及其制作方法.pdf

    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其制作方法，所述功率半导体器件包括N基体和中间P+层，所述N基体的顶部两端均设有有源区N+层和包裹所述有源区N+层的P区，所述P区包括沟道P‑层，所述沟道P‑层被配置在所述有源区N+层的内侧，所述栅氧化层被配置在所述N基体的表面中部，并覆盖到所述有源区N+层，所述中间P+层被配置在两个所述P区之间，且与两个所述P区相连。本发明提供的一种功率半导体器件，能够在漏极施压时降低栅氧化层承受的电场强度，减小栅氧化层被击穿的几率，提高器件的可靠性，同时

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112652666 A (43)申请公布日 2021.04.13 (21)申请号 202011552697.5 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 江苏

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