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2023-06-03 发布于四川
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一种半导体器件的制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底层，在衬底层上同层设置第一外延生长层和第二外延生长层，第一外延生长层和第二外延生长层为电流阻挡层，衬底层在第一外延生长层和第二外延生长层之间的部分为通道区，第一外延生长层、第二外延生长层与通道区的顶面位于同一平面，平面与衬底层的底面平行。通过第一外延生长层和第二外延生长层的电流阻挡作用，使得电流的扩散区域以及电流的流经路径得到有效控制，进而提高器件的电光转换效率。同时，平整的衬底层可以在形成平整的功能层时，无需额外的工艺处理即可直

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112636175 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011533023.0 (22)申请日 2020.12.22 (71)申请人度亘激光技术（苏州）有限公司

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