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本发明涉及一种掺钪氮化铝的高频谐振器及其制造方法。该谐振器包括：高声速材料的衬底层、位于衬底层之上的欧拉角为(0°，90°，90°)或(90°，90°，180°)的温度补偿LGS层、位于温度补偿LGS层之上的ScxAl1‑xN压电层，x为41％或43％；以及压电层上的占空比为0.5－0.6的电极。其制造方法包括：将注入了离子的ScxAl1‑xN压电层与LGS层进行低温键合成第一结合层，将高声速材料衬底层和另一LGS层进行低温键合成第二结合层，将第一和第二结合层在各自的LGS层那面进行低温键合，将
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112615603 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011501126.9
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 广东广纳芯科技有限公司
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