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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明提供了一种存储器结构及其形成方法，包含：提供包含存储器阵列区以及周边电路区的基底；形成多个位线结构于存储器阵列区中；形成介电层于周边电路区中；形成多个接触件于位线结构之间；沉积保护层于基底上，其中保护层位于存储器阵列区的部分的第一顶面低于位于周边电路区的部分的第二顶面；沉积硬遮罩层于保护层上；回刻蚀硬遮罩层，以形成硬遮罩间隙物于此保护层的第一顶面上且紧邻周边电路区；以及使用硬遮罩间隙物作为刻蚀遮罩来刻蚀保护层，以留下保护部件于存储器阵列区与周边电路区的交界处。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078157 A
(43)申请公布日
2021.07.06
(21)申请号 20201
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