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异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器，其包括Si器件层、SiO2包层、衬底Si、LNOI层、传输电极Ti‑Au；SiO2包层置于Si器件层上；衬底Si置于Si器件层上，且置于SiO2包层内；LNOI层通过键合的方式与SiO2包层集成在一起，且LNOI层置于SiO2包层上；传输电极Ti‑Au置于LNOI层上。本发明还提供另一种异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器。本发明还提供上述异质集成硅基薄膜铌酸锂调制器的制造方法。本发明能对LN材料进行集成，且集成方法简单。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115774300 A (43)申请公布日 2023.03.10 (21)申请号 202211550101.7 (22)申请日 2022.12.05 (71)申请人 华中光电技术研究所（中国船舶集

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