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本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。本发明提出了一种半导体结构的制备方法中，由于其是通过将存储单元区和逻辑电路区中栅极结构两侧的侧墙通过多步材料沉积以及不同的刻蚀去除来分别形成，从而既满足了存储单元区中侧墙足够薄的需求，以保证后续存储单元区中层间介质层的填充窗口，同时又满足了逻辑电路区中的侧墙足够厚的需求，以保证逻辑电路区形成的器件有足够的击穿电压窗口。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614843 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011486015.5
(22)申请日 2020.12.16
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
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