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2023-06-03 发布于四川
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本发明涉及半导体器件，包括：半导体区域；位于半导体区域的表面上的金属配线；位于半导体区域的表面上的有机绝缘层，所述有机绝缘层具有第一开口，以露出金属配线的一部分；种金属层，其覆盖金属配线从第一开口露出的一部分以及有机绝缘层的第一开口的内侧面和周缘部；掩模，其覆盖种金属层的边缘，所述掩模具有第二开口，以露出种金属层的一部分；和阻挡金属层，其位于从掩模的第二开口露出的种金属层上，阻挡金属层具有与掩模的第二开口的内侧面相接触的外侧面，掩模主要包含无机介电材料，并且在平面图中，阻挡金属层位于由掩模限定的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635422 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011379930.4 H01L 21/60 (2006.01) (22)申请日 2

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