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本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及电容极板接触孔的刻蚀方法，包括：提供带有电容结构的集成电路器件；通过光刻定义出上、下极板接触孔图案；进行初步刻蚀，形成的上极板接触孔的孔底与上极板之间剩余有第一厚度的介质层；通过刻蚀气体，对初步刻蚀后的所述集成电路器件进行等离子刻蚀，刻蚀去除第一厚度的介质层，使得所述刻蚀气体在所述集成电路器件外露的表面上发生聚合反应，形成聚合物；进行进一步刻蚀，刻蚀去除剩余在下极板接触孔孔底与下极板之间的第二厚度的介质层，使得下极板接触孔的孔底与下极板接触。本申请提供的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635669 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011462812.X
(22)申请日 2020.12.14
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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