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本发明公开了一种亚阈值电压基准电路，包括：3T亚阈值基准电压电路和自偏置衬底调制NMOS电路，3T亚阈值基准电压电路包括本征NMOS管和与本征NMOS管连接的自偏置共源共栅电路；本征NMOS管和电源电压连接；自偏置共源共栅电路和本征NMOS管均与自偏置衬底调制NMOS电路连接；自偏置衬底调制NMOS电路接地。该亚阈值电压基准电路通过增加自偏置衬底调制NMOS电路和将传统的2T亚阈值基准电压电路中自偏置NMOS管改为自偏共源共栅电路的方式来减小输出参考电压受温度的影响，同时降低电路的功耗。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112650351 B
(45)授权公告日 2022.06.24
(21)申请号 202011518921.9 (56)对比文件
(22)申请日 2020.12.21
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