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本发明涉及一种PIN肖特基二极管的碳化硅MOSFET，包括半导体主体，所述半导体主体包括N型区、P+源极区，所述P+源极区设置在N型区上，所述N型区的下表面覆盖了金属化漏极；所述N型区的上表面与P+源极区的侧面形成沟槽，在所述沟槽内设置了栅极，且栅极与所述N型区的上表面接触；所述P+源极区的上表面覆盖了金属化源极，且所述金属化源极具有延展结构，所述延展结构贯穿栅极且与N型区接触。本方案将快恢复混合型PIN肖特基二极管(MPS)集成在碳化硅MOSFET结构中，对比传统的沟槽型碳化硅MOSFET外接
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614892 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011524489.4
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 成都杰启科电科技有限公司
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