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本申请实施例提供了一种光刻胶结构、图形化沉积层和半导体芯片及其制作方法。该光刻胶结构的制作方法，利用单种光刻胶、只需要使用单一显影液进行一次显影即可得到含底切的第二光刻胶层，且底切的尺寸可通过显影时间来控制，从而避免了例如传统剥离工艺中沉积材料与光刻胶结构的侧壁粘连而导致的剥离困难等问题；采用第一光刻胶层作为保护胶层，可以避免显影时，显影液对衬底材料的腐蚀损坏；并通过刻蚀第一光刻胶层，使得作为保护胶层的第一光刻胶层转变为图形限制胶层，能够有效地防止沉积材料过程中，沉积材料底部发生侧向扩散，得到形
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112652522 B
(45)授权公告日 2022.05.03
(21)申请号 202010717981.7 H01L 21/3205 (2006.01)
(22)申请日
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