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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件，包括：衬底；衬底上相对设置的源极和漏极；纳米堆叠结构，源极和漏极分别位于纳米堆叠结构的相对的两侧；纳米堆叠结构包括多个导电纳米片，多个导电纳米片与衬底的表面平行，多个导电纳米片沿垂直于衬底的方向间隔堆叠，导电纳米片两端分别嵌入源极和漏极；以及环绕式栅极；其中，导电纳米片平行于衬底的表面开设有容纳槽；容纳槽内填充有外延层，外延层的载流子迁移率高于导电纳米片的载流子迁移率，外延层与相应的导电纳米片形成复合式纳米片；环绕式栅极环绕于多个复合式纳米片的周
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115775825 A
(43)申请公布日 2023.03.10
(21)申请号 202211533975.1
(22)申请日 2022.11.30
(71)申请人 中国科学院微电子研
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