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本发明提供一种宽量程高灵敏度MEMS电容薄膜真空规，包括玻璃基底层、电极层、含硅基底层、保护层以及密封层，所述密封层、含硅基底层以及玻璃基底层从上到下依次设置；所述玻璃基底层与含硅基底层之间设置参考端腔体，所述密封层与含硅基底层之间设置测量端腔体，所述参考端腔体与测量端腔体之间设置感应薄膜，所述密封层上设置与测量端腔体连通的通气孔，所述保护层设置于测量端腔体内，且所述保护层上且位于感应薄膜的一端面设置凹槽，所述含硅基底层上设置与参考端腔体连通的电极引出孔，且还设置电极引出槽；所述电极层包括设置于
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112611506 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011501968.4
(22)申请日 2020.12.17
(71)申请人 厦门大学
地址 36
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