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本发明公开了一种DFB激光器外延片制造方法,该方法先在一次外延片上使用原子层沉积设备沉积一层极薄且致密的氧化薄膜,利用此作为非光栅区蚀刻的掩膜,采用全息工艺制作非对称光栅。该方法可以有效的抑制了激光器的空间烧孔效应,提升DBF激光器的边模抑制比,优化其光谱模式,提高了DFB激光器的产品良率,制造成本低;该制造方法采用薄的氧化薄膜作掩膜,制造非对称相移光栅,相对于传统的EBL光栅,或其它光栅制造方法,方法简单,成本低,效率高;该方法也提供一种光栅湿法刻蚀的方法,避免了传统在制备非对称光栅时,不同区
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112636169 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011534940.0 C23C 16/30 (2006.01)
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