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2023-06-03 发布于四川
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一种三维存算电路结构及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种三维存算电路结构及其制备方法，包括：制备第一半导体结构，作为第一逻辑层；在第一绝缘层上键合第一材料层；并对第一材料层进行第一减薄处理和第一表面处理，形成第一衬底层；在第一衬底层上低温制造若干第一低温MOS晶体管，并在若干第一低温MOS晶体管上形成第二绝缘层，形成第二半导体结构，作为存储层；重复上述制备第二半导体结构的操作，形成第三半导体结构，作为第二逻辑层；在第一绝缘层、第二半导体结构和第三半导体结构中开设通孔，形成互连层，以将第一半导体结构、第二半导体结构和第三半导体结构互连；

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635472 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011422740.6 H01L 27/11578 (2017.01) (22)申请日

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