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2023-06-03 发布于四川
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本发明提供一种半导体器件，其包括：第一有源图案和第二有源图案，其在基板上在第一方向上延伸；第一栅电极和第二栅电极，其在第二方向上延伸以与第一有源图案和第二有源图案相交；第一源极/漏极接触，其在第二方向上延伸并分别连接到第一有源图案的第一源极/漏极区域和第二有源图案的第二源极/漏极区域；第一源极/漏极通路，其连接到第一源极/漏极接触；第一单元分隔膜，其在第二方向上延伸并与第一有源图案和第二有源图案交叉，在第一源极/漏极接触和第二栅电极之间；第一栅极通路，其连接到第二栅电极并与第一源极/漏极通路一起

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635456 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011050878.8 (22)申请日 2020.09.29 (30)优先权数据 10-2019-0

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