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2023-06-03 发布于四川
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一种半导体装置，包括：器件层，其包括第一有源图案和第二有源图案以及多个栅电极，第一有源图案和第二有源图案在衬底上在第一方向上延伸并且彼此相邻，多个栅电极在衬底上在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且与第一有源图案和第二有源图案交叉；下布线层，其位于器件层上，并且包括第一下布线图案和第二下布线图案，第一下布线图案和第二下布线图案在第一方向上延伸，分别位于第一有源图案和第二有源图案上，并且连接到多个栅电极；以及上布线层，其位于下布线层上，并且具有分别位于第一下布线图案和第二下布线图案上的第一上过孔和

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635457 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011062004.4 (22)申请日 2020.09.30 (30)优先权数据 10-2019-0

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