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本发明涉及一种增强型与耗尽型HEMT器件的集成芯片及制备方法,利用介质层的应力对器件阈值电压的影响与器件栅极线宽的相关性,对P型氮化物栅极层下方的势垒层应力进行调控,改变其极化电场强度,最终实现P型氮化物栅增强型和耗尽型HEMT器件的单片集成。在制备耗尽型半导体器件时,无需刻蚀栅金属下方的P型氮化物层,栅极金属与半导体接触界面不存在刻蚀损伤,可有效降低器件的栅漏电,提升器件开关电流比,降低功耗;本发明制备的增强型半导体器件,与常规P型氮化物栅增强型HEMT相比,P型氮化物栅极层下方的势垒层极化电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112614834 B
(45)授权公告日 2022.08.16
(21)申请号 202011526269.5 H01L 21/8252 (2006.01)
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