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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成伪栅极结构；在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层暴露出所述伪栅极结构，且所述第一介质层表面低于或齐平于所述伪栅极结构顶部表面；去除伪栅极结构，在所述第一介质层内形成栅极开口，在所述栅极开口内形成栅极结构；去除所述第一介质层，暴露出所述栅极结构两侧的衬底表面；在去除所述第一介质层之后，在所述衬底上、所述栅极结构顶部表面和侧壁表面形成停止层；在所述停止层上形成第二介质层；在所述第二介质层内形成插塞，所述插塞位于相邻的栅极结构之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635324 A
(43)申请公布日
2021.04.09
(21)申请号 20191
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