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一种利用氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备甲基氯硅烷类有机硅方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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一种利用氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备甲基氯硅烷类有机硅方法.pdf

    本发明公开了一种利用氯基CVD晶体薄膜生长制程尾气FTrPSA制备甲基氯硅烷类有机硅方法，通过预处理、中温变压吸附、中常温变压吸附浓缩、直接合成、粗单体精馏、氯硅烷喷淋吸收、多级蒸发/压缩/冷凝与氯硅烷中浅冷精馏工序，利用一种基于甲基氯硅烷类有机硅为前驱物的氯基SiC‑CVD晶体及或外延薄膜生长制程尾气中含有氯甲烷、氯硅烷、氯化氢、硅粉等有效组分，采用直接合成法制备甲基氯硅烷类有机硅产品，包括一甲基氯硅烷、二甲基氯硅烷等，并可返回到SiC‑CVD制程循环使用，既实现尾气综合利用，又减少了尾气排放

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112645976 A (43)申请公布日 2021.04.13 (21)申请号 202011533723.X (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人 浙江天采云集科技股份有限公司

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