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公开了具有氢阻挡层的三维(3D)存储设备及其制造方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储设备包括：衬底；存储叠层，其包括在衬底上方交错的导电层和电介质层；NAND存储串的阵列，每个NAND存储串垂直延伸穿过存储叠层；多个逻辑处理兼容器件，其在NAND存储串的阵列上方；半导体层，其在逻辑处理兼容器件上方并与所述逻辑处理兼容器件接触；焊盘引出互连层，其在半导体层上方；以及氢阻挡层，其垂直位于半导体层与焊盘引出互连层之间，并被配置为阻挡氢排出。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635476 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011527127.0 H01L 23/29 (2006.01)
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