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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明适用于半导体技术领域，提供了一种高纯大尺寸SIC晶体衬底材料的制备方法，包括以下步骤：S1、按一定化学计量比称量硅粉和碳粉，将它们混合均匀后加入到石墨坩埚中；S2、在S1中的石墨坩埚中添加含有氯元素的先驱体并搅拌均匀；S3、将S2中的石墨坩埚放入真空烧结炉中后关炉，待真空抽至≤10‑4Pa以后，再充入稀有气体至所需压强；S4、按一定升温速率进行升温至所需温度进行高温合成，待一段时间后降温后，停炉取出样品。本发明通过添加含氯元素的先驱体，实现厚膜外延材料，单层外延层厚度达80微米，突破厚膜生
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112645331 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011545217.2
(22)申请日 2020.12.24
(71)申请人 张家港迪源电子科技有限公司
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