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一种发光二极管及其制造方法.pdfVIP

一种发光二极管及其制造方法.pdf

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    本申请涉及发光二极管领域，具体公开一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括：外延层，包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；半导体电极，半导体电极以埋入方式设置于第一半导体层内，其中半导体电极与第一半导体层具有相同的掺杂类型，并沿第一半导体层的主表面呈网格状设置，半导体电极的导电率高于第一半导体层的导电率。通过上述方式，本申请可实现更佳的第一半导体层区域内的电流扩散，能够增加发光二极管的发光面积，并提升发光二极管的发光效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112614921 A (43)申请公布日 2021.04.06 (21)申请号 202011634459.9 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 深圳第三代半导体研究院

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