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晶炉晶体生长调控方法、装置、计算机设备和存储介质.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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晶炉晶体生长调控方法、装置、计算机设备和存储介质.pdf

    本申请涉及一种晶炉晶体生长调控方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：获取目标晶棒光环区周边预设区域的实际温度梯度；基于目标晶棒的直径、目标直径增长速率以及预设对应关系，确定实际所需的标准温度梯度，其中，预设对应关系为不同晶棒直径下直径增长速率与径向温度梯度的对应关系，径向温度梯度为从晶棒光环区边缘到坩埚边缘径向多点测温获取的温度梯度；将实际温度梯度与标准温度梯度进行比较，并基于比较结果调节晶炉的加热功率。采用本方法能够更加全面地反映液面整体的温度变化趋势，实现对晶体生长的温度梯度更加精准的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115491756 A (43)申请公布日 2022.12.20 (21)申请号 202211442595.7 (22)申请日 2022.11.18 (71)申请人 浙江晶盛机电股份有限公司 地址 3

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