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该发明涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件,其包括形成于衬底上表面的外延区域和至少两个形成于外延区域中的体区域。体区域位于靠近外延区域的上表面,且横向彼此间隔。该器件还包括至少两个设置于对应的体区域中且靠近该体区域上表面的位置的源区,以及包括至少两个平面栅和一个沟槽栅的栅极结构。每个平面栅均位于所述的外延区域的上表面,并与相应的体区域的至少一部分重叠。该沟槽栅位于两个所述体区域之间且至少部分位于所述外延区域之中;以及位于衬底背面且与衬底电连接的漏极触点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112614891 A
(43)申请公布日 2021.04.06
(21)申请号 202011502689.X
(22)申请日 2020.12.17
(30)优先权数据
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