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本发明公开了一种高压厚栅氧的制作方法，在硅衬底上沉积垫层氧化硅，在垫层氧化硅上沉积垫层氮化硅；进行浅槽隔离光刻、刻蚀、氧化硅填充及化学机械研磨；在硅片上依次沉积掩膜氮化硅、掩膜氧化硅；通过光刻和刻蚀工艺去除高压厚栅氧区的掩膜氧化硅和掩膜氮化硅，并保留高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅；进行第一次热氧化生长，使高压栅氧区的浅槽隔离角部钝化；去除高压厚栅氧区的两浅槽隔离之间的垫层氮化硅；进行第二次热氧化生长，生成高压厚栅氧。本发明的高压厚栅氧的制作方法制作得到的高压器件的厚栅氧，STI角部栅氧
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112635316 B
(45)授权公告日 2022.06.07
(21)申请号 202011462782.2 (56)对比文件
(22)申请日 2020.12.14
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