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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明涉及一种DRAM芯片封装结构及其加工工艺方法，其中，DRAM芯片封装结构，包括载板，设于所述载板上表面的芯片，及与所述载板和所述芯片连接的环氧树脂层；所述芯片上表面还设有若干根金属线，所述金属线的上端突出于所述环氧树脂层的上表面，所述环氧树脂层的上表面还设有线层，所述金属线的上端还与所述线层连接，所述线层的上表面还设有若干个锡球。本发明通过运用重新布线工艺,移除了传统的基板，运用金属线垂直连接芯片和重新布线层线路，减少了线路长度，芯片和金属载板之间有导热胶层，金属载板提升了芯片的散热性能，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652584 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011525868.5
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 东莞记忆存储科技有限公司
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