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异质结双极晶体管结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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异质结双极晶体管结构及其形成方法.pdf

    一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成集电层，集电层包括第一区域和第二区域；在第一区域进行第一离子注入，形成第一电离区域，第一电离区域的离子浓度大于第二区域的离子浓度；在集电层上形成基极层和集电极，基极层位于所述集电层的第二区域上方，集电极位于第一电离区域上方，并与电连接；在基极层上形成发射层和基极电极，发射层包括第三区域和第四区域，基极电极和基极层电连接；在第三区域进行第二离子注入，形成第二电离区域，第二电离区域的离子浓度大于第四区域的离子浓度；在发射层上形成发

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115775731 A (43)申请公布日 2023.03.10 (21)申请号 202211573943.4 (22)申请日 2022.12.08 (71)申请人 常州承芯半导体有限公司 地址 21

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